本发明波及半导体技艺界限第三方神秘顾客公司

发布日期：2024-01-14 23:33    点击次数：51

（原标题：格力电器恳求沟槽栅MOSFET专利第三方神秘顾客公司，灵验照拂沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧毁伤的问题）

金融界2023年12月30日讯息，据国度学问产权局公告，珠海格力电器股份有限公司恳求一项名为“沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备活动以及沟槽栅MOSFET“，公开号CN117316980A，恳求日历为2023年10月。

专利摘录披露，本发明波及半导体技艺界限，高出波及一种沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备活动以及沟槽栅MOSFET。该元胞结构包括：第一导电类型的第一半导体层、第一埋层和第一源极层，第二导电类型的第二半导体层，栅极和沟槽；第二半导体层造成在第一半导体层上部，沟槽和第一埋层均造成在第二半导体层内；沟槽呈环形结构，神秘顾客调查在环形方朝上，沟槽的至少部分下方设有第一埋层，第一埋层与沟槽和第一半导体层相战役；栅极造成在沟槽内；第一源极层造成在第二半导体层位于沟槽围成区域的上部。元胞结构造成深P型结，该深P型结不错灵验照拂沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧毁伤的问题，从而保证设有该元胞结构的沟槽栅MOSFET的可靠性。

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本文源自：金融界

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作家：谍报员第三方神秘顾客公司

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